海力士公司在NAND闪存领域有着成熟技术和经验。海力士拥有专业知识，提供适用于NAND闪存技术的丰富高质量元器件，可以帮助您在设计方面获得巨大成功！

hynix海力士Nand Flash的电源电压范围为1.8～3.6V，功耗低，TSOP封装，体积小，目前最大单片容量可达512Gb，按页读写，按块擦除。通过8位的总线分别发送命令和地址到命令、地址寄存器来控制。以典型的“读”命令为例：写“读”命令到命令寄存器，写入4字节的地址到地址寄存器，等待设备将要求的数据放到输出寄存器，从数据寄存器读取一页的数据。由于地址寄存器在芯片内部，芯片的管脚随着芯片容量的增加基本上不变。

hynix海力士Nand Flash存储器具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等，同时也为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

作为授权的hynix海力士代理商，致力于海力士全系列产品的销售，销售的产品包括计算机存储类、消费电子存储类、显示存储类、移动存储类、闪存类及摄像头模块类等等……产品的应用覆盖了计算机及计算机周边、手机、 网络、液晶电视、机顶盒、数 码相机、数字影盘等等。

海力士（SK Hynix）的两大产品：DRAM和NAND Flash

DRAM

08年11月，SK海力士发表了世界上最快的1Gb GDDR5 Graphics DRAM。SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术，保证世界最高水平的DRAM稳定性，生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM，适用于携带用Application的Mobile DRAM。

NAND Flash

SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品，并且在最短的时间内投入量产，继2012年开发20nm技术后，2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础，正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品；QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品；适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）等产品。