海力士公司在LPDDR3领域有着成熟技术和经验。海力士拥有专业知识，提供适用于LPDDR3技术的丰富高质量元器件，可以帮助您在设计方面获得巨大成功！

hynix海力士LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V，这样一来，在保证同样的性能水平条件下，设备的耗电量比过去能降低50%以上。而设备的核心电压部分，LPDDR2 的标准也同样降低到1.2V(LPDDR则为1.8V)，进一步减小了设备的能耗。

 除此之外，hynix海力士LPDDR2 还支持Partial Array Self Refresh以及Per-Bank Refresh等高级电源管理特性。Partial Array Self Refresh允许内存阵列的某一部分在没有工作负荷时关闭，可以由程序来根据实际的需求来实时控制内存容量的大小。

hynix海力士LPDDR2 也是第一个横跨两种存储设备类型的标准。该标准允许NVM与SDRAM使用同样的总线接口，这样便可减小控制器的针脚数并提高内存芯片的密度。

hynix海力士LPDDR2 还支持多种不同的设备配置，这使该标准的普适性大大增强，它支持的设备配置包括：

* 设备工作频率可由100MHz--533MHz

* 支持x8, x16以及x32多种数据位宽

* 支持1.8V/1.2V两种核心电压，并具备两种预取可选项（2bit或4bit）

* 支持的存储密度范围大（NVM设备支持：64Mb-32Gb，DRAM支持：64Mb-8Gb）

hynix海力士LPDDR2 具备低能耗，高性能，可伸缩性好，NVM与SDRAM可共享接口的优势。为移动设备产业提供了一种新型的低能耗内存设备，为手持设备运行对性能要求较高的游戏或高清视频提供了一种解决方案。

作为授权的hynix海力士代理商，致力于海力士全系列产品的销售，销售的产品包括计算机存储类、消费电子存储类、显示存储类、移动存储类、闪存类及摄像头模块类等等……产品的应用覆盖了计算机及计算机周边、手机、 网络、液晶电视、机顶盒、数 码相机、数字影盘等等。

海力士（SK Hynix）的两大产品：DRAM和NAND Flash

DRAM

08年11月，SK海力士发表了世界上最快的1Gb GDDR5 Graphics DRAM。SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术，保证世界最高水平的DRAM稳定性，生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM，适用于携带用Application的Mobile DRAM。

NAND Flash

SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品，并且在最短的时间内投入量产，继2012年开发20nm技术后，2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础，正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品；QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品；适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）等产品。