海力士公司在DDR3 SDRAM领域有着成熟技术和经验。海力士拥有专业知识，提供适用于DDR3 SDRAM技术的丰富高质量元器件，可以帮助您在设计方面获得巨大成功！

hynix海力士DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。

CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用来校准ODT（On Die Termination）内部中断电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存频率功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、频率和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入RASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率（内核频率）只有100MHz。

2．采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 

作为授权的hynix海力士代理商，致力于海力士全系列产品的销售，销售的产品包括计算机存储类、消费电子存储类、显示存储类、移动存储类、闪存类及摄像头模块类等等……产品的应用覆盖了计算机及计算机周边、手机、 网络、液晶电视、机顶盒、数 码相机、数字影盘等等。

海力士（SK Hynix）的两大产品：DRAM和NAND Flash

DRAM

08年11月，SK海力士发表了世界上最快的1Gb GDDR5 Graphics DRAM。SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术，保证世界最高水平的DRAM稳定性，生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM，适用于携带用Application的Mobile DRAM。

NAND Flash

SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品，并且在最短的时间内投入量产，继2012年开发20nm技术后，2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础，正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品；QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品；适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）等产品。