海力士公司在DDR2 SDRAM领域有着成熟技术和经验。海力士拥有专业知识，提供适用于DDR2 SDRAM技术的丰富高质量元器件，可以帮助您在设计方面获得巨大成功！

hynix海力士所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2 内存拥有两倍于标准DDR 内存的4 bit预读取能力。换句话说，虽然DDR2 和DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2 拥有两倍于DDR 的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR 的实际频率为200MHz，而DDR2 则可以达到400MHz。

DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR 的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

作为授权的hynix海力士代理商，致力于海力士全系列产品的销售，销售的产品包括计算机存储类、消费电子存储类、显示存储类、移动存储类、闪存类及摄像头模块类等等……产品的应用覆盖了计算机及计算机周边、手机、 网络、液晶电视、机顶盒、数 码相机、数字影盘等等。

海力士（SK Hynix）的两大产品：DRAM和NAND Flash

DRAM

08年11月，SK海力士发表了世界上最快的1Gb GDDR5 Graphics DRAM。SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术，保证世界最高水平的DRAM稳定性，生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM，适用于携带用Application的Mobile DRAM。

NAND Flash

SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品，并且在最短的时间内投入量产，继2012年开发20nm技术后，2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础，正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品；QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品；适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）等产品。