韩国存储大厂SK 海力士，今年靠DRAM、NAND 赚饱饱，不过该公司并未就此放松，还打算拓展版图，抢攻晶圆代工业务，锁定CMOS影像感测器、显示器驱动IC（ DDIC）、电源管理IC（PMIC）等。

韩媒报导，SK 海力士的南韩仁川M10（12 吋晶圆厂），将在2017 年量产1,300 万画素的CMOS。与此同时，南韩清州的M8（8 吋晶圆厂）将减少生产低价、低画素的CMOS，转而投入显示器驱动IC、电源管理IC 等。业界人士透露，M10 的DRAM生产设施将转移至新的M14 厂，空出位置制造CMOS。

据了解SK 海力士已经做出此一决定，目前正逐步执行。为了抢夺晶圆代工地盘，SK 海力士最近取得旗下IC 设计厂SiliconFile 的资产。IC 设计厂可做为晶圆代工业者和无晶圆厂之间的桥梁，三星电子和台积电都有相关合作伙伴。业界人士说，把Silicon File 资产纳入SK 海力士，代表该公司将正式推展存储以外业务。

今年第三季为止，DRAM 和NANDFlash 各占SK 海力士总体销售比重的69%、28%，非存储部门仅占3%。

之前，SK 海力士12 吋晶圆厂只生产存储类产品，如DRAM 或NAND 快闪存储等，非存储则是交由8 吋（200mm）厂负责生产，未来若改由12 吋晶圆厂生产，产出则可增加五成。

SK海力士为什么要做代工？

正如文章开头所说，SK海力士是一个知名的存储生产厂商。

据韩联社的报道，SK海力士2015年的三大经营指标——营业利润、销售额、净利润连续第三年创下历史新高。

数据显示，公司2015年营业利润达53360亿韩元(约合人民币292亿元)，同比增长4%。销售额同比增长10%，达18.79万亿韩元，净利润同比增长3%，为43240亿韩元。2015年第三季度，SK海力士营业利润连续7个季度维持在1万亿韩元以上，但第四季度的营业利润没能突破1万亿韩元，同比和环比分别减少41%和29%，为9889亿韩元。

SK海力士方面预测，2016年第一季度，存储器将进入销售淡季，因此存储器需求短期内难有明显改善。但随着DDR4的需求增加，DRAM市场前景有望变好。但从今年上半年的财报看来，SK海力士的表现未能得到预期的表现。

SK 海力士今26 日公布财年第二季财报，SK 海力士第二季营收3.94 兆韩圜，在需求回稳产品出货优于预期下季增8%，对比去年同期营收则衰退15%，但平均销售价格有所下滑，营业利润4,530 亿，季减19%、年减67% 比砍半还惨，受到汇损等影响，净利2,860 亿，季减36%、年减高达74%。

存储需求回春，但在平均单价降低与汇兑损失下，未能反映在获利表现。SK 海力士指出，DRAM 与NAND Flash 位元出货量都有所成长。受到智能手机需求强劲以及电脑存储复苏之下，DRAM 位元成长18%，但平均销售单价（ASP）却也减了11%。NANDFlash 在智能手机嵌入式存储、SSD 等需求持续成长下，位元成长率大增52%，平均销售单价因产品价格下降与 TLC 产品单价较低，同样减少11%。　

除了要面对来自三星等国际知名存储厂商的竞争外，SK海力士还需要面对今年蓬勃发展的中国存储产业的潜在挑战，且在平面存储向3D存储的转变过程中，需要投入巨大的人力和研发成本，对于SK海力士来说，也是一大笔的营运压力。

因此，在本身的存储业务上，SK海力士一方面将扩大在2Z 纳米DRAM 产品线以反应后续的需求，2Z 纳米不只运用于公司PC DRAM 出货，也适用于行动DRAM，官方预计将增加DDR4 与LPDDR4的出货，估计在2016 年末出货占比将来到总DRAM 出货量的40%，而平面NAND Flash 将推进到1Y 纳米制程，业界正在竞逐的3D NAND Flash 竞赛，SK 海力士36 层堆叠产品已经开始出货，48 层堆叠的3D NAND Flash 也将于今年下半问世。而另一方面，SK海力士想通过代工，充分利用其产线，降低运营成本，开源节流！